Учёные из Института физики полупроводников имени Ржанова Сибирского отделения РАН разработали новый материал для мемристоров, который представляет собой композит из наночастиц оксида ванадия, покрытых фторированным графеном.
Подпишитесь на ежедневную почтовую рассылку главных новостей. Узнать подробнее
Ваша подписка оформлена. На адрес email@site.ru отправлена ссылка для подтверждения. Теперь ежедневно в 17:00 вам на почту будет приходить новостной дайджест с самыми интересными событиями за день.